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IRGIB10B60KD1數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

IRGIB10B60KD1

參數(shù)屬性

IRGIB10B60KD1 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 16A 44W TO220FP

功能描述

600V Low-Vceon Copack IGBT in a TO-220 FullPak package
IGBT 600V 16A 44W TO220FP

封裝外殼

TO-220-3 整包

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-14 10:00:00

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IRGIB10B60KD1規(guī)格書詳情

描述 Description

采用 TO-220 Full-Pak 封裝的第五代超快 600 V, 10 A IGBT 與低 Vf 二極管聯(lián)合封裝,經(jīng)過優(yōu)化可實(shí)現(xiàn)較低的通態(tài)損耗。降低的功率損耗和軟開關(guān)行為,有助于熱性能的提升和 EMI 行為的改善,導(dǎo)致系統(tǒng)成本下降??梢愿偷某杀精@得出色的性能。

特性 Features

? 低 VCE(on) 非穿通型 IGBT 技術(shù)
? 低二極管 VF
? 10 μS 短路能力
? 方形 RBSOA
? 超軟二極管反向恢復(fù)特性
? 正 VCE(ON) 溫度系數(shù)

優(yōu)勢:
? 電機(jī)控制基準(zhǔn)效率
? 強(qiáng)健的瞬態(tài)性能
? 低 EMI
? 并聯(lián)工作時(shí)電流共享表現(xiàn)出色

簡介

IRGIB10B60KD1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IRGIB10B60KD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :IRGIB10B60KD1

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Technology?

    :IGBT Gen 5

  • Switching Frequency?min?max

    :8.0kHz?30.0kHz

  • Package?

    :TO-220-3 FP

  • Voltage Class?max

    :600.0V

  • IC(@100°)?max

    :10.0A

  • IC(@25°)?max

    :16.0A

  • ICpuls?max

    :32.0A

  • Ptot?max

    :44.0W

  • VCE(sat)?

    :1.7V?

  • Eon?

    :0.156mJ?

  • Eoff(Hard Switching)?

    :0.165mJ?

  • td(on)?

    :25.0ns?

  • tr?

    :24.0ns?

  • td(off)?

    :180.0ns?

  • tf?

    :62.0ns?

  • QGate?

    :41.0nC?

  • IF?max

    :32.0A

  • VF?

    :1.8V?

  • Qrr?

    :553.0nC?

  • Irrm?

    :14.0A?

  • Ets??(max)

    :0.321mJ?(0.434mJ)

  • VCE?max

    :600.0V

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