IRGBC30U數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

廠商型號 |
IRGBC30U |
參數(shù)屬性 | IRGBC30U 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A) |
封裝外殼 | TO-220-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-13 19:10:00 |
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簡介
IRGBC30U屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IRGBC30U晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號:
IRGBC30U
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,12A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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24+ |
TO 220 |
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