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IRGBC30FD2數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

IRGBC30FD2
參數(shù)屬性

IRGBC30FD2 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A)
IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB
封裝外殼

TO-220-3
制造商

Infineon Infineon Technologies AG
中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二
更新時(shí)間

2025-8-13 23:01:00
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IRGBC30FD2規(guī)格書詳情

簡介

IRGBC30FD2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IRGBC30FD2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

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  • 產(chǎn)品編號：

    IRGBC30FD2

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，17A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
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NA/
17138
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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TO-220
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