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IRGB4064DPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGB4064DPBF
廠商型號

IRGB4064DPBF

參數(shù)屬性

IRGB4064DPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A 101W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

370.81 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 13:01:00

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IRGB4064DPBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low VCE (on) Trench IGBT Technology

? Low Switching Losses

? Maximum Junction temperature 175 °C

? 5μs SCSOA

? Square RBSOA

? 100 of The Parts Tested for ILM

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode

? Tighter Distribution of Parameters

? Lead-Free Package

Benefits

? High Efficiency in a Wide Range of Applications

? Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due

to Low VCE (ON) and Low Switching Losses

? Rugged Transient Performance for Increased Reliability

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation

? Low EMI

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGB4064DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.91V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    29μJ(開),200μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    27ns/79ns

  • 測試條件:

    400V,10A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 101W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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