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IRGB4061DPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRGB4061DPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRGB4061DPBF 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 36A 206W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
410.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-8 23:00:00 |
| 人工找貨 | IRGB4061DPBF價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRGB4061DPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.95V @ 15V，18A
- 開關(guān)能量：
95μJ（開），350μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
40ns/105ns
- 測試條件：
400V，18A，22 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 36A 206W TO220AB
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
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IR |
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IR |
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