IRGB10B60KDPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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廠家型號(hào)：
IRGB10B60KDPBF
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
INFINEON/IR
庫(kù)存數(shù)量：
900
產(chǎn)品封裝：
NA
生產(chǎn)批號(hào)：
1907+
庫(kù)存類型：
熱賣(mài)庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-8-1 9:31:00

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原廠料號(hào)：IRGB10B60KDPBF品牌：INFINEON/IR

20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨

IRGB10B60KDPBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/IR/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/TO-220-3的IRGB10B60KDPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號(hào)：
IRGB10B60KDPBF
規(guī)格書(shū)：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱：
IRF詳情
廠商全稱：
International Rectifier
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
15 頁(yè)
文件大小：
365.94 kb
資料說(shuō)明：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
IRGB10B60KDPBF
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，10A
開(kāi)關(guān)能量：
140μJ（開(kāi)），250μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
30ns/230ns
測(cè)試條件：
400V，10A，47 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 22A 156W TO220AB

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市品優(yōu)時(shí)代科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪留言
聯(lián)系人：
黃小姐
手機(jī)：
18025335698
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IRGB10B60KDPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRGB10B60KDPBF

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