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IRG7PH42UD1MPBF數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
IRG7PH42UD1MPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRG7PH42UD1MPBF 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 85A 313W TO247AD |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-14 23:01:00 |
| 人工找貨 | IRG7PH42UD1MPBF價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRG7PH42UD1MPBF規(guī)格書詳情
簡介
IRG7PH42UD1MPBF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IRG7PH42UD1MPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRG7PH42UD1MPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
- 開關(guān)能量：
1.21mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
-/270ns
- 測試條件：
600V，30A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 85A 313W TO247AD
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
882 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-247 |
30000 |
百域芯優(yōu)勢 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
19+ |
TO-247 |
13503 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
22+ |
TO247AD |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-247AD |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO247 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
