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IRG4PSH71U數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
IRG4PSH71U |
| 參數(shù)屬性 | IRG4PSH71U 封裝/外殼為TO-274AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 99A 350W SUPER247 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-274AA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-14 23:01:00 |
| 人工找貨 | IRG4PSH71U價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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簡(jiǎn)介
IRG4PSH71U屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IRG4PSH71U晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRG4PSH71U
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，70A
- 開關(guān)能量：
4.77mJ（開），9.54mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
51ns/280ns
- 測(cè)試條件：
960V，70A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-274AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
SUPER-247?（TO-274AA）
- 描述：
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
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10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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07+ |
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VISHAY專營(yíng)進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
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原裝正品 |
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IR |
23+ |
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