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IRG4RC10KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration

IRF

International Rectifier

IRG4RC10KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10KDPBF

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 9A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10KDTRPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration

IRF

International Rectifier

IRG4RC10KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCircuitRatedUltraFastIGBT

IRF

International Rectifier

IRG4RC10S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A)

Features ?Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C ?Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4RC10KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.62V @ 15V,5A

  • 開關(guān)能量:

    250μJ(開),140μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    49ns/97ns

  • 測試條件:

    480V,5A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 9A 38W DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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DPak
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原裝正品,支持實單
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更多IRG4RC10KDPBF供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 19:27:00