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IRG4RC10KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRF

International Rectifier

IRG4RC10KD

Package：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration

IRF

International Rectifier

IRG4RC10KDTRPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration

IRF

International Rectifier

IRG4RC10KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10KDTRPBF

IGBT 模塊 600V 8.500A;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10KDPBF

Package：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10KDTRPBF

Package：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4RC10KD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.62V @ 15V，5A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    250μJ（開(kāi)），140μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    49ns/97ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 9A 38W DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
2021+
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢(xún)價(jià)
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
TO 247
161270
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
TO-252
501021
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢(xún)價(jià)
INTERNATIONA
06+
原廠(chǎng)原裝
19891
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
D-Pak
8866
詢(xún)價(jià)
IR
1415+
TO-252(DPAK)
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣(mài)
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
原廠(chǎng)封裝
194
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢(xún)價(jià)
IR
17+
TO-252
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
IR
2016+
TO-252
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢(xún)價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
更多IRG4RC10KD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:01:00

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