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IRG4PH30分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PH30
廠商型號

IRG4PH30

參數(shù)屬性

IRG4PH30 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

212.54 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 18:15:00

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IRG4PH30規(guī)格書詳情

特性 Features

? High short circuit rating optimized for motor control,

tsc =10μs, VCC = 720V , TJ = 125°C,

VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high

switching speed

? Tighter parameter distribution and higher efficiency

than previous generations

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density

motor controls possible

? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and

switching losses

? This part replaces IRGPH30MD2 products

? For hints see design tip 97003

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4PH30KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    4.2V @ 15V,10A

  • 開關能量:

    950μJ(開),1.15mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    39ns/220ns

  • 測試條件:

    800V,10A,23 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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