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IRG4PC50KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PC50KD
廠商型號

IRG4PC50KD

參數(shù)屬性

IRG4PC50KD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 52A 200W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

374 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-12 23:01:00

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IRG4PC50KD規(guī)格書詳情

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

特性 Features

●Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz, and Short Circuit Rated to 10μs @125°C, VGE= 15V

●Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

●IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

●Industry standard TO-247AC package

Benefits

●Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

●HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

●Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4PC50KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    1.61mJ(開),840μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    63ns/150ns

  • 測試條件:

    480V,30A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 52A 200W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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