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IRG4PC50FD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PC50FD
廠商型號(hào)

IRG4PC50FD

參數(shù)屬性

IRG4PC50FD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 70A 200W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

211.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-12 16:44:00

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IRG4PC50FD規(guī)格書詳情

VCES = 600V

VCE(on) typ. = 1.45V

@VGE = 15V, IC = 39A

特性 Features

? Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

? Industry standard TO-247AC package

Benefits

? Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies available

? IGBTs optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

? Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4PC50FDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,39A

  • 開關(guān)能量:

    1.5mJ(開),2.4mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    55ns/240ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,39A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 200W TO247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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