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IRG4PC50K

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanpreviousgenerat

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IRG4PC50K

600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package;

InfineonInfineon Technologies AG

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IRG4PC50K

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 52A 200W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PC50KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ●ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ●Generation4IGBTdesignprovidestigh

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IRG4PC50KD

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package; ? 經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高工作頻率 > 5,0 kHz\n? 額定短路時(shí)間為 10 μs @ 125°C, VGE=15V\n? IGBT 的設(shè)計(jì)提供更緊湊的參數(shù)分布和更高的效率\n? 與 HEXFREDTM 超快、超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管聯(lián)合封裝的 IGBT，在橋配置中使用\n? 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TO-247AC 封裝\n? 無(wú)鉛\n\n\n優(yōu)勢(shì):\n? IGBT 提供可實(shí)現(xiàn)的出色效率\n? HEXFRED 二極管與 IGBT 并用優(yōu)化?；謴?fù)特性最小化，對(duì)緩沖的要求更少甚至不需要\n? 旨在“直接替代”同等行業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的第三代 IR IGBT\n?\n;

600V IGBT 與超快 8-25 kHz 軟恢復(fù)二極管聯(lián)合封裝到 TO-247AC 封裝中。\n ?\n

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IRG4PC50KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhigh operationfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRated to10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFRE

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IRG4PC50KPBF

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanpreviousgenerati

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IRG4PC50KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PC50KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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International Rectifier

IRG4PC50KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4PC50K

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    490μJ（開(kāi)），680μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    38ns/160ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，30A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 600V 52A 200W TO247AC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IRG4PC50K供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 14:10:00

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