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IRG4IBC30KD_INFINEON/英飛凌_IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP中天科工二部

IRG4IBC30KD

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  • 廠家型號(hào)：

    IRG4IBC30KD

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    20300

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220F

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    25+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-27 14:14:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IRG4IBC30KD品牌：INFINEON/英飛凌

INFINEON/英飛凌原裝特價(jià)IRG4IBC30KD即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨

  • 芯片型號(hào)：

    IRG4IBC30KD

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    195.54 kb

  • 資料說明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    IRG4IBC30KD

  • 功能描述：

    IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    30

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    1200V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce（開）：

    3V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    200A 功率 -

  • 最大：

    830W

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PLUS247?-3

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

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