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IRG4BC30SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30SS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30U

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Gener

IRF

International Rectifier

IRG4BC30UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

IRF

International Rectifier

IRG4BC30UD

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEUltraFastCoPackIGBT

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRG4BC30KDSTRLP

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 600V 23A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多IRG4BC30KDSTRLP供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 16:06:00

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