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IRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A);

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30S-S_04

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30U

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Gener

IRF

International Rectifier

IRG4BC30UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

IRF

International Rectifier

IRG4BC30UD

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEUltraFastCoPackIGBT

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRG4BC30S-S

  • 功能描述：

    DIODE IGBT 600V 34A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    30

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    1200V Vge,

  • Ic時的最大Vce（開）：

    3V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    200A 功率 -

  • 最大：

    830W

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PLUS247?-3

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IR
2021+
TO-263
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
IR
05+
原廠原裝
851
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
24+/25+
1600
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
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IR
24+
原廠封裝
137
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
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17+
TO-263
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
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24+
TO-263
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
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23+
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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20+
TO-263
15800
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價(jià)
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24+
65230
詢價(jià)
INFINEON
1503+
TO-263
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
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