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IRG4BC20SD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD

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International Rectifier

IRG4BC20SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

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IRG4BC20SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4BC20U

FitRate/EquivalentDeviceHours

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IRG4BC20U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Gener

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IRG4BC20UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast, ultra-s

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IRG4BC20UD

FitRate/EquivalentDeviceHours

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IRG4BC20UDPBF

ULTRAFASTCOPACKIGBT

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IRG4BC20UDPBF

UltraFastCoPackIGBT

Features ?UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa

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IRG4BC20UDS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGenera

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRG4BC20SD-SPBF

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V DC-1kHz

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IRG4BC20SD-SPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:18:00

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