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IRG4BC20SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

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IRG4BC20U

FitRate/EquivalentDeviceHours

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IRG4BC20U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Gener

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IRG4BC20UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast, ultra-s

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IRG4BC20UD

FitRate/EquivalentDeviceHours

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IRG4BC20UDPBF

ULTRAFASTCOPACKIGBT

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IRG4BC20UDPBF

UltraFastCoPackIGBT

Features ?UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa

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IRG4BC20UDS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGenera

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IRG4BC20UD-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGenera

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IRG4BC20UD-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC20FD-STRL

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，9A

  • 開關(guān)能量：

    250μJ（開），640μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    43ns/240ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，9A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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更多IRG4BC20FD-STRL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 9:24:00

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