IRFZ48L中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書
IRFZ48L規(guī)格書詳情
描述 Description
Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
1. Advanced Process Technology
2. Ultra Low On-Resistance
3. Dynamic dv/dt Rating
4. 175°C Operating Temperature
5. Fast Switching
6. Fully Avalanche Rated
產品屬性
- 型號：
IRFZ48L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO220 |
3000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-220 |
6528 |
房間原裝進口現貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-220 |
2150 |
詢價 | |||
IOR |
22+ |
TO-220 |
1000 |
全新原裝現貨!自家?guī)齑? |
詢價 | ||
IR |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原裝正品現貨 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IR |
1923+ |
TO220 |
3689 |
原裝進口現貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
SMD |
20000 |
一級代理原裝現貨假一罰十 |
詢價 |
