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IRFZ46L中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書

IRFZ46L
廠商型號

IRFZ46L

功能描述

Advanced Process Technology

文件大小

360.83 Kbytes

頁面數量

10

生產廠商

IRF

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-11 8:01:00

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IRFZ46L規(guī)格書詳情

描述 Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRFZ46S)

● Low-profile through-hole (IRFZ46L)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

產品屬性

  • 型號:

    IRFZ46L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
24+
原廠封裝
5000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價
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2016+
TO-220
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
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全新原裝、誠信經營、公司現(xiàn)貨銷售
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原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
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Vishay Siliconix
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TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
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