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IRFR1N60A中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR1N60A
廠商型號

IRFR1N60A

功能描述

iscN-Channel MOSFET Transistor

絲印標(biāo)識

DPAK

封裝外殼

TO-252

文件大小

333.46 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-7 23:01:00

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IRFR1N60A規(guī)格書詳情

? DESCRITION

? Switching Voltage Regulators

? FEATURES

? Low drain-source on-resistance:

RDS(ON) =7? (MAX)

? Enhancement mode:

Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFR1N60A

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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原裝正品,假一罰十
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