首頁>IRFR18N15D>規(guī)格書詳情
IRFR18N15D中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFR18N15D |
| 功能描述 | SMPS MOSFET |
| 文件大小 |
126.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-8 15:03:00 |
| 人工找貨 | IRFR18N15D價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFR18N15D規(guī)格書詳情
Applications
High frequency DC-DC converters
Benefits
1. Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses
2. Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, (See App. Note AN1001)
3. Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR18N15D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-252 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IR |
2022+ |
D-PAK |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價(jià) | |||
Infineon(英飛凌) |
2447 |
DPAK |
115000 |
3000個(gè)/卷一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長 |
詢價(jià) | ||
IR |
1816+ |
TO-252 |
6523 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
INTERNATIONA |
05+ |
原廠原裝 |
23256 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
3215 |
原裝優(yōu)勢!絕對(duì)公司現(xiàn)貨! |
詢價(jià) |
