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IRFR13N20DPBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRFR13N20DPBF |
| 功能描述 | SMPS MOSFET |
| 文件大小 |
4.32081 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | KERSEMI |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-8 17:22:00 |
| 人工找貨 | IRFR13N20DPBF價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFR13N20DPBF規(guī)格書(shū)詳情
Benefits
? Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses
? Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
? Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
? High frequency DC-DC converters
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR13N20DPBF
- 功能描述：
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
5000 |
只做原裝,價(jià)格優(yōu)惠,長(zhǎng)期供貨。 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO-252 |
9896 |
詢價(jià) | |||
IR |
25+ |
DPAK |
12300 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
IR |
2021+ |
TO-252 |
3500 |
十年專營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
TO252 |
5623 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
300 |
詢價(jià) | |||
IR |
22+ |
TO-252 |
21350 |
原裝正品，實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO-252 |
65248 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) |
