IRFR120Z中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFR120Z規(guī)格書詳情
AUTOMOTIVE MOSFET
描述 Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
特性 Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFR120Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
I |
24+ |
D-PAK |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
新年份 |
TO252 |
3500 |
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詢價 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
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詢價 | ||
IR |
13+PBF |
TO-252 |
10575 |
優(yōu)勢 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2511 |
TO252-3 |
360000 |
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詢價 | ||
IR |
24+ |
D-PAK |
15800 |
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詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 |
