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IRFR120TRLPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFR120TRLPBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.88411 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
| 中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-31 23:01:00 |
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IRFR120TRLPBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effictiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount applications.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Surface Mount (IRFR420/SiHFR420)
? Straight Lead (IRFU420/SiHFU420)
? Available in Tape and Reel
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR120TRLPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
1284 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO252 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
25+23+ |
TO-252 |
18731 |
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詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
D-PAK |
19526 |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
21+ |
NA |
12820 |
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詢價(jià) | ||
SILICONIXVISHAY |
23+ |
NA |
12730 |
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詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
TO-252 |
6200 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO-252 |
7000 |
詢價(jià) | |||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
VISHAY(威世) |
2447 |
TO-252-3 |
115000 |
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詢價(jià) |
