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IRFR110TRPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFR110TRPBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.37078 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
| 中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-17 16:10:00 |
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IRFR110TRPBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Surface Mount (IRFR110, SiHFR110)
? Available in Tape and Reel
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFR110TRPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-252 |
5715 |
只做原裝 有掛有貨 假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO252 |
2500 |
全新原裝現(xiàn)貨!自家?guī)齑? |
詢價 | ||
VBSEMI |
19+ |
TO252D-PAK |
15000 |
詢價 | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
CutTape |
12730 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
IR |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO252 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 | ||
IR |
18+ |
TO252 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO-252 |
9203 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
500871 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
VISHAY |
1728+ |
TO-252 |
5600 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價 |
