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IRFR110PBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRFR110PBF |
| 功能描述 | Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated |
| 文件大小 |
3.88858 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | KERSEMI |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-17 15:01:00 |
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IRFR110PBF規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount applications.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Surface Mount (IRFR110/SiHFR110)
? Straight Lead (IRFU110/SiHFU110)
? Available in Tape and Reel
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR110PBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
2447 |
TO-252-3 |
115000 |
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詢價(jià) | ||
Vishay |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-252 |
7000 |
詢價(jià) | |||
Vishay |
24+ |
NA |
3001 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO-252 |
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VISHAY |
10+ |
TO-252 |
7 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
2025+ |
D-Pak |
56303 |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO-252 |
8820 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252-2 |
986966 |
國(guó)產(chǎn) |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2021+ |
TO-252 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) |
