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IRFIBF30GPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRFIBF30GPBF |
功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
文件大小 |
920.99 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-11 20:00:00 |
人工找貨 | IRFIBF30GPBF價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFIBF30GPBF規(guī)格書詳情
描述 Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
? Isolated Package
? High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS
? Sink to Lead Creepage Dis. = 4.8 mm
? Dynamic dV/dt Rating
? Low Thermal Resistance
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFIBF30GPBF
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
689 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
vishay |
20+ |
na |
65790 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
ir |
2023+ |
原廠封裝 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO220F |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
14+ |
TO220F |
300 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO220F |
1709 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
23+ |
TO220F |
28000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO220F |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
25+23+ |
TO220F |
8856 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
TO220F |
9850 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) |