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IRFIBF30G中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFIBF30G
廠商型號(hào)

IRFIBF30G

功能描述

Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A)

文件大小

167.58 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-11 18:15:00

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IRFIBF30G規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

? Isolated Package

? High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS

? Sink to Lead Creepage Dis. = 4.8 mm

? Dynamic dV/dt Rating

? Low Thermal Resistance

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFIBF30G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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