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MDP7N50TH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTH7N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTM7N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTM7N50

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

MTM7N50

N-ChannelPowerMOSFETs,8A,450V/500V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedsepeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MTTM7N50

N-ChannelPowerMOSFETs

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ●VGSRatedat±20V ●SiliconGateforFastSwitchingSpe

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

PSM7N50CT

7.6A500VSingleN??hannelPowerMOSFET

PFC

PFC Device Inc.

SiHFIB7N50A

UninterruptiblePowerSupply

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHFIB7N50A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SIHFIB7N50L

PowerMOSFET

FEATURES ?SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimplerDriveReqirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-fr

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFIB7N50LPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 6.8 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VishayIR
24+
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1082
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NA
19960
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TO220-3
3000
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
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TO2203 Isolated Tab
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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TO2203 Isolated Tab
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Vishay Siliconix
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VISHAY/威世
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更多IRFIB7N50LPBF供應商 更新時間2025-7-22 16:30:00

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