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IRFIB7N50LPBF	文件：193.78 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimplerDriveReqirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-fr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFIB7N50LPBF	文件：204.61 Kbytes Page：9 Pages	SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity Applicatio	IRF International Rectifier	IRF
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KF7N50	文件：1.21941 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=500V,ID=7A	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFIB7N50LPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 6.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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