IRFF310中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFF310 |
| 功能描述 | 1.35A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.00373 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-6 23:00:00 |
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IRFF310規(guī)格書詳情
1.35A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. They can be operated directly from integrated circuits.
Feafares
? 1.35A, 400V
? rDS(ON) = 3.600Q
? Single Pulse Avalanche Energy Rated
? SOA is Power Dissipation Limited
? Nanosecond Switching Speeds
? Linear Transfer Characteristics
? High Input Impedance
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFF310
- 制造商：
International Rectifier
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 400V 1.25A 3-Pin TO-39
- 功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 1.25A 3PIN TO-39 - Bulk
- 功能描述：
N CH MOSFET, 400V, 1.25A, TO-205AF; Transistor
- Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
- Id：
1.25A; Drain Source Voltage
- Vds：
400V; On Resistance
- Rds(on)：
3.6ohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ：
4V ;RoHS
- Compliant：
No
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
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24+ |
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詢價(jià) | |||
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原廠原裝 |
4259 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) |
