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IRFF122中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFF122
廠商型號(hào)

IRFF122

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors

文件大小

165.85 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GE Solid State
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GESS

中文名稱

GE Solid State

原廠標(biāo)識(shí)
GESS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-4 22:34:00

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IRFF122規(guī)格書詳情

5.0A and 6.0A, 60V-100V rDS(0n) = 0.30Ω and 0.40Ω

Features:

■ SOA is power-dissipation limited

■ Nanosecond switching speeds

■ Linear transfer characteristics

■ High input impedance

■ Majority carrier device

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFF122

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-205AF

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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