IRFF112中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRFF112 |
功能描述 | Power MOS Field-Effect Transistors |
文件大小 |
176.97 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | GE Solid State |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
GESS |
中文名稱 | GE Solid State |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-7-13 22:30:00 |
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IRFF112規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors
Features
? SOA is Power Dissipation Limited
? Nanosecond Switching Speeds
? Linear Transfer Characteristics
? High Input Impedance
? Majority carrier device
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFF112
- 制造商:
GESS
- 制造商全稱:
GESS
- 功能描述:
Power MOS Field-Effect Transistors
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NS |
24+ |
CAN3 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
24+ |
TO-39 |
45 |
詢價(jià) | |||
HARRIS/哈里斯 |
2402+ |
TO-39 |
8324 |
原裝正品!實(shí)單價(jià)優(yōu)! |
詢價(jià) | ||
HARRIS |
21+ |
CAN3 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
HARRIS |
18+ |
CAN3 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
HARRIS/哈里斯 |
23+ |
95 |
6500 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
65480 |
詢價(jià) | ||||
HARRIS |
23+ |
CAN3 |
9960 |
價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
5500 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價(jià) |