IRFBF30中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
IRFBF30 |
功能描述 | Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A) |
文件大小 |
166.46 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-16 12:36:00 |
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IRFBF30規(guī)格書詳情
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRFBF30
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO220-3 |
8650 |
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詢價 | ||
原廠原包 |
24+ |
原裝 |
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IR |
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24+ |
NA/ |
3531 |
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