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IRF830數(shù)據(jù)手冊GESS中文資料規(guī)格書

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廠商型號

IRF830
功能描述

N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 500V. Continuous drain current(at Tc 25deg) 4.5A.
制造商

GESS GE Solid State
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-30 11:29:00
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技術(shù)參數(shù)

  • 型號：

    IRF830

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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