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IRF820數(shù)據(jù)手冊(cè)恩XP中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

IRF820

功能描述

Power Field Effect Transistor

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-29 8:45:00

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IRF820規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS

TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS
rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRF820

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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