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IRF7807VPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF7807VPBF |
| 功能描述 | HEXFET? Power MOSFET |
| 文件大小 |
192.3 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-22 18:21:00 |
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IRF7807VPBF規(guī)格書詳情
描述 Description
This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduction of conduction and switching losses makes it ideal for high efficiency DC-DC Converters that power the latest generation of mobile microprocessors.
A pair of IRF7807V devices provides the best cost/performance solution for system voltages, such as 3.3V and 5V
? N Channel Application Specific MOSFET
? Ideal for Mobile DC-DC Converters
? Low Conduction Losses
? Low Switching Losses
? 100 RG Tested
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF7807VPBF
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 9.5nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
SOP8 |
1710 |
只做原裝,一定有貨,不止網(wǎng)上數(shù)量,量多可訂貨! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP |
7512 |
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詢價(jià) | ||
IOR |
20+ |
SOP8 |
2960 |
誠信交易大量庫存現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
2015+ |
SOP |
19889 |
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詢價(jià) | ||
IOR |
2005 |
SOP-8P |
420 |
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOP-8 |
2944 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
IOR |
24+ |
SOP8 |
3075 |
詢價(jià) | |||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
SOP-8 |
7793 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOP8 |
21574 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOP |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價(jià) |
