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IRF7807VD1規(guī)格書詳情
描述 Description
The FETKY? family of Co-Pack HEXFET? MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifier’s low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.
? Co-Pack N-channel HEXFET? Power MOSFET
and Schottky Diode
? Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters Up to 5A Output
? Low Conduction Losses
? Low Switching Losses
? Low Vf Schottky Rectifier
? 100 RG Tested
? Lead-Free
產品屬性
- 型號：
IRF7807VD1
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
- 系列：
FETKY™
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1709+ |
SOP8 |
45000 |
普通 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
SOP8 |
9000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
原裝IR |
19+ |
SOP-8 |
20000 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
8-SOIC(0.154 |
38550 |
詢價 | |||
ir |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價,代理渠道 |
詢價 | |||
IR |
18+ |
SOIC8 |
36375 |
全新原裝現貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
8-SO |
4000 |
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經營)! |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
IOR |
24+ |
S0P/8 |
1068 |
原裝現貨假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
1942+ |
SOP-8 |
9852 |
只做原裝正品現貨或訂貨!假一賠十! |
詢價 |
