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IRF7726中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7726
廠商型號

IRF7726

功能描述

Power MOSFET(Vdss=-30V)

文件大小

95.6 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
IRF
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-2 23:00:00

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IRF7726規(guī)格書詳情

描述 Description

HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for battery and load management.

The new Micro8 package, with half the footprint area of the standard SO-8, provides the smallest footprint available in an SOIC outline. This makes the Micro8 an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (

● Ultra Low On-Resistance

● P-Channel MOSFET

● Very Small SOIC Package

● Low Profile (< 1.2mm)

● Available in Tape & Reel

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7726

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
24+
NA/
4250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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IR
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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INFINEON/英飛凌
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十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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原裝正品,假一賠十!
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2016+
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只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
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Infineon/英飛凌
23+
Micro-8
25630
原裝正品
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