IRF7707中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF7707規(guī)格書詳情
描述 Description
HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for, provides thedesigner with an extremely efficient and reliable device for battery and load management.
The TSSOP-8 package has 45 less footprint area than the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (< 1.2mm)
● Available in Tape & Reel
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF7707
- 功能描述：
MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
8469 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TSSOP8 |
6528 |
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
P |
06 |
140 |
詢價 | |||
IR |
2223+ |
SOP-8 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險 |
詢價 | ||
IOR |
2023+ |
SOP-8 |
5800 |
進口原裝,現(xiàn)貨熱賣 |
詢價 | ||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價 | ||
IR |
2025+ |
TSSOP-8 |
4675 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
IOR |
25+23+ |
TSSOP8 |
30101 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
25+ |
6 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 |
