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IRF7341TR中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF7341TR
廠商型號(hào)

IRF7341TR

功能描述

HEXFET? Power MOSFET

文件大小

117.72 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

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更新時(shí)間

2025-8-23 23:01:00

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IRF7341TR規(guī)格書詳情

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

? Generation V Technology

? Ultra Low On-Resistance

? Dual N-Channel Mosfet

? Surface Mount

? Available in Tape & Reel

? Dynamic dv/dt Rating

? Fast Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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