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IRF7341QPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRF7341QPBF |
| 功能描述 | HEXFET? Power MOSFET |
| 文件大小 |
231.77 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-21 14:15:00 |
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IRF7341QPBF規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
These HEXFET ? Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Benefits
? Advanced Process Technology
? Dual N-Channel MOSFET
? Ultra Low On-Resistance
? 175°C Operating Temperature
? Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF7341QPBF
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SOIC8 |
2789 |
原裝優(yōu)勢(shì)!絕對(duì)公司現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
SOP8 |
48276 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOP8 |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
SOP8 |
2960 |
誠(chéng)信交易大量庫(kù)存現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
67041 |
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) | ||
IR |
2022+ |
SOP-8 |
32000 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP8 |
9896 |
詢價(jià) | |||
IR |
6000 |
面議 |
19 |
SOP8 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOP-8 |
28000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) |
