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IRF6711S數(shù)據(jù)手冊Infineon中文資料規(guī)格書

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廠商型號

IRF6711S
功能描述

25V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SQ封裝，在低導(dǎo)通電阻下進(jìn)行了優(yōu)化，額定電流為19 A。
制造商

Infineon Infineon Technologies AG
中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司
數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二
更新時(shí)間

2025-8-8 18:00:00
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IRF6711S規(guī)格書詳情

特性 Features


優(yōu)勢:
? 符合 RoHS
? 100% 經(jīng)過接地電阻測試
? 纖薄外形（小于0.7毫米）
? 雙面冷卻
? 針對控制FET應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
? 針對高頻開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化
? 低封裝電感

應(yīng)用 Application

? 多相 ControlFET

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    ：IRF6711S

  • 生產(chǎn)廠家

    ：Infineon

  • Package?

    ：DirectFET SQ

  • VDS?max

    ：25.0V

  • RDS (on)?max

    ：3.8m?

  • RDS (on)(@10V)?max

    ：3.8m?

  • RDS (on)(@4.5V)?max

    ：6.5m?

  • Polarity?

    ：N

  • ID (@ TA=70°C)?max

    ：15.0A

  • ID (@ TA=25°C)?max

    ：19.0A

  • ID (@ TC=25°C)?max

    ：84.0A

  • Ptot(@ TA=25°C)?max

    ：2.2W

  • Ptot?max

    ：42.0W

  • QG?

    ：13.0nC?

  • Mounting?

    ：SMD

  • Moisture Sensitivity Level?

    ：1

  • Qgd?

    ：4.4nC?

  • Tj?max

    ：150.0°C

  • RthJC?max

    ：3.0K/W

  • VGS?max

    ：20.0V

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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