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IRF6691數(shù)據(jù)手冊(cè)Infineon中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

IRF6691

功能描述

HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 20:00:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRF6691

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
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NA/
892
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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DIRECTFET
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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QFN/DirectFET-M
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代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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