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IRF644STRLPBFA	文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF644STRRPBFA	文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI644	文件：174.94 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.28ohm,Id=7.9A) HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI644	文件：685.47 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI644A	文件：229.46 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=250V ?LowerRDS(ON):0.214?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI644B	文件：685.47 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI644G	文件：174.94 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.28ohm,Id=7.9A) HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI644G	文件：1.41435 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) ?Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI644G	文件：702.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI644GPBF	文件：1.41435 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) ?Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF644NSTRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市福田區(qū)綠盛電子商行	IRF644NSTRL	IR	2015+	D2-Pak	19889	一級代理原裝現(xiàn)貨,特價熱賣!	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRF644NSTRL	IR	23+	D2-Pak	19526		詢價
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易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF644NSTRL	Vishay	23+	D2PAK	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IRF644NSTRL	Vishay Siliconix	2022+	TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價
深圳市能元時代電子有限公司	IRF644NSTRL	IR	23+		62889	##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢價
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深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	IRF644NSTRLPBF	IR/VISHAY	22+	SOT263	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價

更多IRF644NSTRL供應(yīng)商更新時間2025-7-25 15:12:00

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