IRFI644G中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRFI644G |
功能描述 | Power MOSFET |
文件大小 |
1.41435 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-16 19:10:00 |
人工找貨 | IRFI644G價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFI644G規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Isolated Package
? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
? Dynamic dV/dt Rating
? Low Thermal Resistance
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFI644G
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO 220 |
161148 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
06+ |
TO-220F |
1500 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
11+ |
TO-220F |
276 |
詢價(jià) | |||
SILICONIX (VISHAY) |
23+ |
原廠原封 |
2650 |
訂貨1周 原裝正品 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
25+23+ |
TO-220F |
28904 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220F |
10500 |
詢價(jià) | |||
IR |
0108/0042 |
200 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中! |
詢價(jià) | |||
VishayPCS |
新 |
885 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2203 Isolated Tab |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
詢價(jià) |