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IRFI644	文件：685.47 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI644A	文件：229.46 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=250V ?LowerRDS(ON):0.214?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI644B	文件：685.47 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI644G	文件：174.94 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.28ohm,Id=7.9A) HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI644G	文件：1.41435 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) ?Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI644G	文件：702.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI644GPBF	文件：1.36816 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI644GPBF	文件：1.41435 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) ?Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI644GPBF	文件：702.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFS644	文件：270.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
IRF644NLPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	IRF644NLPBF	VishayIR	24+	TO-262	233		詢價
深圳市科雨電子有限公司	IRF644NLPBF	VISHAY	1503+	TO-262	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF644NLPBF	Vishay Siliconix	22+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRF644NLPBF	VISHAY/威世	23+	TO-262	9000	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF644NLPBF	Vishay Siliconix	23+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	IRF644NLPBF	IR	05+	TO-262	378	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
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天津市博通航睿技術有限公司	IRF644NLPBF	IR	23+	TO-262	7000		詢價

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