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IRF644中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF644
廠商型號(hào)

IRF644

功能描述

Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)

文件大小

173.37 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-4 19:15:00

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IRF644規(guī)格書詳情

描述 Description

Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Dynamic dv/dt Rating

● Repetitive Avalanche Rated

● Fast Switching

● Ease of Paralleling

● Simple Drive Requirements

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF644

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 250V 14 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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